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플렉서블 디스플레이 및 전자소자에 대한 관심으로 인해 투명 산화물 반도체 (Transparent Oxide Semiconductor)에 대한 관심 또한 증가 하였으며. 그 중 ZnO가 주목받고 있다. ZnO기반의 MgxZn1-xO는 밴드갭 조절을 위해 ZnO에 Zn2+(0.6 A)와 이온반경이 비슷한 Mg2+(0.57 A)를 적절히 고용함으로써 3.36 ～7.8 eV로 밴드갭 조절이 가능하다. 특히 플렉서블 플라스틱 기판의 경우 비정질의 구조일 뿐만 아니라 표면형태가 좋지 않기 때문에 플렉서블 기판에서의 MgZnO 박막의 성장에 관한 연구는 필수적이다. 따라서 본 논문에서는 산소분압에 따른 Mg0.1Zn0.9O 박막의 구조적 특성 및 결정성에 관해 연구하였다. MgZnO 박막 증착은 타겟과 같은 조성을 갖는 박막 형성을 위해 펄스레이저 증착법을 사용하였다. 박막의 구조적 특성 분석을 위해 XRD와 AFM을 사용하였으며 투과율과 밴드갭 측정을 위해 UV-visible spectrophotometer을 사용하였다. 낮은 산소분압에서 결정화는 관찰되지 않았다. 온도가 증가함에 따라 박막의 결정성은 향상되었으며 그레인 사이즈와 RMS 거칠기는 증가하였다. MgZnO 박막은 가시광선영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 나타내었다.
Concern for the TOS (Transparent Oxide Semiconductor) is increasing with the recent increase in interest for flexible device. Especially MgZnO has attracted a lot of attention. MgxZn1-xO, which ZnO-based wideband-gap alloys is tuneable the band-gap ranges from 3.36 eV to 7.8 eV. In particular, the flexible substrate, the crystal structure of the amorphous as well as the surface morphology is not good. So research of MgZnO thin films growth on flexible substrate is essential. Therefore, in this study, we studied on the effects of the oxygen partial pressure on the structural and crystalline of Mg0.1Zn0.9O thin films. MgZnO thin films were deposited on PES substrate by using pulsed laser deposition. We used XRD and AFM in order to observe the structural characteristics of MgZnO thin films. UV-visible spectrophotometer was used to get the band gap and transmittance. Crystallization was done at a low oxygen partial pressure. The crystallinity of MgZnO thin films with increasing temperature was improved, Grain size and RMS of the films were increased. MgZnO thin films showed high transmittance over 80% in the visible region.
