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본 연구에서는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 r-plane 사파이어 기판 위에 무극성의 (11-20) aplane GaN을 성장하여 구조적인 특성을 관찰하였다. HVPE 방법으로 저온(500/550/600/660 oC)에서 성장한 AlN 버퍼층이 고온의 a-GaN에 미치는 영향을 확인하였다. 또한, AlN 버퍼층과의 비교를 위하여 저온에서 성장한 GaN 버퍼층과 InGaN 버퍼층 같은 다양한 버퍼층을 이용하여 a-plane GaN의 성장도 실시하였다. 고온에서 성장된 a-GaN의 구조적 형상은 저온버퍼층의 성장 조건에 크게 영향을 받음을 알 수 있었다. GaCl3 전 처리를 실시하고 820oC에서 성장한 경우에 가장 평탄한 표면을 가지는 a-GaN을 얻을 수 있었다.
The structural and morphological properties of planar, nonpolar (11-20) a-plane GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on (1-102) r-plane sapphire substrates are characterized. We report on the effect of low temperature (500/550/600/660 oC) AlN buffer layers on the structural properties of HVPE grown a-GaN layers. And for the comparison, low temperature GaN and InGaN buffer layers are also tried for the growth of a-plane GaN layers. The structural geometry of a-GaN layers is severely affected on the growth condition of low temperature buffer layers. The most planar a-GaN could be obtained with GaCl3 pretreatment at the growth temperature of 820oC.
The structural and morphological properties of planar, nonpolar (11-20) a-plane GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on (1-102) r-plane sapphire substrates are characterized. We report on the effect of low temperature (500/550/600/660 oC) AlN buffer layers on the structural properties of HVPE grown a-GaN layers. And for the comparison, low temperature GaN and InGaN buffer layers are also tried for the growth of a-plane GaN layers. The structural geometry of a-GaN layers is severely affected on the growth condition of low temperature buffer layers. The most planar a-GaN could be obtained with GaCl3 pretreatment at the growth temperature of 820oC.
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HVPE, Nonpolar, R-plane sapphire, a-plane GaN, Mixed-source, AlN, InGaN, GaN
