Byung-Seok Lee; Jong-Min Kim; Joong-Hyeok Byeon; Won-suk Park; Koo Yong seo
(Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers, 2013-06)
본 논문에서는 파워클램프용 높은 홀딩 전압을 갖는 사이리스터(SCR: Silicon Controlled Rectifier )구조에 기반 한 새로운 구조의 ESD 보호회로를 제안하였다. 제안된 보호회로는 기존의 SCR 구조의 p-well과 n-well에 floating p+, n+를 삽입하여 홀딩 전압을 증가 시켰다. 제안된 보호회로는 높은 홀딩전압 특성으로 높은 래치업 면역성을 갖는다. 본 ...