본 논문에서는 대용량급 전력변환회로를 대상으로, 기존 위상천이 풀 브리지 컨버터의 환류 전류 문제를 해결하기 위하여 새로운 모드 가변형 비대칭 풀 브리지 컨버터를 제안한다. 제안된 회로는 구동시비율 D에 따라 50% 이하에서는 비대칭 풀 브리지 컨버터로 동작하며, 50% 이상에서는 능동 클램프 풀 브리지 컨버터로 동작하게 된다. 따라서 제안된 회로는 정상상태시 약 50% 시비율로 동작되므로 ...

This paper presents the design and fabrication of the 2-stage driver amplifier and 3-stage power amplifier MMICs(Monolithic Microwave Integrated Circuits) for the transmitter modules of W-band military and commercial systems ...

An all-digital delay-locked loop (DLL) for a mobile memory interface, which runs at 0.11-2.5 GHz with a phase-shift capability of 180°, has two internal DLLs: a global DLL which uses a time-to-digital converter to assist ...

본 논문에서는 54 GHz 대역의 위상 고정 루프에서 사용되기 위한 Ring 발진기를 이용한 3 분주 주입 동기 주파수 분주기(Injection-Locked Frequency Divider: ILFD)를 0.13-μm Si RFCMOS 공정을 이용하여 설계, 제작한 결과를 보인다. 1.8 V의 공급 전압에 대해서 buffer단을 포함하여 70 mW의 전력을 소비하며, 입력 신호가 없을 때 ...

The glass-electroceramics were composed of glass composition(CaO, SiO2, B2O3) and electroceramic composition(BaO, Nd2O3, Bi2O3 and TiO2). Their dielectric properties have been investigated as a function of sintering ...

본 논문에서는 CMOS 0.18 um 공정을 이용하여 UWB(Ultra Wide Band) 시스템의 3.1～4.8 GHz 대역에서 사용할 수 있는 스위칭-이득 제어 저잡음 증폭기를 설계하였다. 높은 이득 모드에서 전력 이득은 12.5 dB, IIP3는 0 dBm, 소비 전류는 8.13 mA로 측정되었으며, 낮은 이득 모드에서는 전력 이득 －8.7 dB, IIP3는 9.2 dBm, 소비 전류는 ...

생물학적 신경 세포의 모델링을 위한 펄스타입 실리콘 뉴런 회로를 0.18 ㎛ CMOS 공정을 이용하여 반도체 집적회로로 설계하였다. 제안하는 뉴런 회로는 입력 전류신호를 위한 커패시터 입력단과, 출력 전압신호 생성을 위한 증폭단 및 펄스신호 초기화를 위한 MOS 스위치로 구성된다. 전압신호 입력을 전류신호 출력으로 변환하는 기능의 시냅스 회로는 몇 개의PMOS와 NMOS 트랜지스터로 이루어지는 ...

본 논문에서는 push-push 방식을 사용하여 설계 제작된 0.18-μm SiGe BiCMOS 공정 기반 70 GHz와 140 GHz에서 모두 동작하는 듀얼 밴드 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator: VCO)의 결과를 보인다. 측정 결과, 본 전압 제어 발진기는 조절 전압이 0.2 V에서 2 V까지 변하는 동안 하위 밴드와 상위 밴드에서 각각 67.9～76.9 ...

0.25 mm thickness super thin surface mounted device LED Lamp is developed with PCB type lead frame in which BT (Bismaleimide Triazine) resin is used. BT resin is removed by a laser beam in order to reduce the thermal ...

본 논문에서는 Win 사의 상용 0.25 μm GaAs pHEMT 공정 기술을 이용하여 X-대역(10.5～13 GHz)에서 동작하는 수신부 코아-칩의 설계 및 제작을 보였다. X-대역 코아-칩은 저잡음증폭기, 4-비트 위상천이기, 직렬-병렬 컨버터(SPC: Serial to parallel data converter)로 구성되며, 크기는 1.75×1.75 mm2로 지금까지 보고된 코아-칩 중 ...