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  • 0.1 $\mu$m InGaAs/InAlAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT)에서의 온도에 따른 수송 현상 분석} 
    강수현; 김용민; 정규호; 임현식; Jung， Woong; Kim， Hyung Sang; 백용현; TaeJong Baek; 이진구 (The Korean Physical Society, 2008-11)
    본 연구에서는 0.1 $\mu$m 채널 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT)의 온도에 따른 수송 현상을 분석하였다. 소자의 I-V 특성은 300 K부터 10 K의 온도 범위에서 측정하였다. 또한, MHEMT 소자와 같은 에피층을 갖는 홀 바 (Hall bar)를 제작하여 2D 홀 측정을 ...
  • 0.1-㎛ InGa0.53As/InAl0.52As HEMT Using a New Sidewall Process 
    Sung-WonKim; Hong-JuPark; Sun-YoungOh; Dae-YoungKo; Dae-HyunKim; Kwang-SeokSeo (The Korean Physical Society, 2002-12)
    This paper presents a new process for a 0.1-$\mu$m gate length and its application to a InGa$_{0.53}$As/InAl$_{0.52}$As high electron mobility transistor (HEMT). We have successfully developed a new sidewall process with ...
  • 0.35-μm CMOS-process-based Voltage-to-current Converter Design for an Analog OFDM Device 
    Seong-Kweon Kim; Goo-Man Park; Jae-Sang Cha (The Korean Physical Society, 2009-07)
    For a low-power wireless communication, a fast-Fourier-transform (FFT) LSI for an orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) system has been implemented with current-mode circuits. In this current-mode OFDM system, ...
  • 0.5 W PA MMIC Module Using InGaP/GaAs HBTs for IMT-2000 Handset Operational at 3.3 V 
    성일 김; Byoung-Gue Min; Chang-Woo Kim; Hyun Shin; Jong-Min Lee; Kyung-Ho Lee; Kyu-Seong Chae (The Korean Physical Society, 2003-02)
    A 0.1 cc power amplifier(PA) multi-chip module (MCM) for an IMT-2000 handset has been developed using InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBT). PA MMIC with maximum power and efficiency considering linearity was ...
  • 0.75 굴절율차를 가진 40채널 광파장 다중화 및 역다중화 소자 
    HyungMyung Moon; 최기선; 이길현; 김동훈; 이지훈; 이동환; 오진경; 곽승찬; 권오관; 강동수; 김진봉; 최준석; 정건; LEE， Hyun-Yong; LEEHYUNGJONG; 박만용 (한국광학회, 2005-06)
    0.75delta%의 평판광회로(PLC;Planar Lightwave Circuit)소자의 설계 및 제작기술을 가지고 저손실과 높은 누화율을 가진 파장 다중화 및 역다중화 소자를 개발하였다. C-band AWG(Arrayed Waveguide Grating)에서의 삽입손실은 2.5dB이하, 누화율은 35dB이상, 균일도는 1dB이하이며 L-band에서는 Vernier 디자인을 적용하여 ITU-T의 ...
  • (001)GaAs기판위에 p-형(Bi1-xSbx)2Te3의 에피박막 성장 및 특성분석 
    김정훈; Kim Jin Sang; 권성도; KIM HYUN JAI; 정대용; Byeongkwon Ju (The Korean Physical Society, 2007-04)
    (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ 에피박막을 TMBi (trimethyl-bismuth), TESb (triethyl-antimony) 및 DIPTe (diisoprophyl-telluride)을 사용하여 유기금속화학기상증착법 (MOCVD)으로 (001) GaAs 단결정 기판 위에 성장하였다. GaAs 기판의 방위를 (001)면에서 약간 이탈시킴으로 c-축 방향의 ...
  • 0°C 이하 적외선 복사온도계 비교 교정장치 구축 
    Yoo Yong Shim; Bong-Hak Kim (한국광학회, 2018-04)
    0°C 이하 적외선 복사온도계의 복사온도눈금 교정을 위해 기준 복사온도계 TRT2 (Transfer Radiation Thermometer 2, HEITRONICS) 와 온도가변 흑체 ME30 (Model: ME30, HEITRONICS)을 사용하여 비교 교정장치를 구축하였다. 3개의 고정점(Ice (0.01°C), In (156.5985°C), Sn (231.928°C))과 플랑크형 ...
  • 1 MeV 양성자빔 조사가 MOS소자의 전기적특성에 미치는 효과 
    김희수; 김은호; Seonmi Han; Seung Jeong Noh (The Korean Physical Society, 2003-09)
    산화막의 두께가 85 \AA이고 게이트의 폭과 길이가 각각 10 $\mu$m와 5 $\mu$m인 NMOS, PMOS 소자에 양성자빔의 조사량을 변화시켜가면서 전기적 특성변화를 연구하였다. 양성자빔의 에너지는 1 MeV이며 조사량은 0.1, 0.5, 1, 5, 10, 50 Mrad이다. 조사량에 따라 문턱전압, off-current, on-current, Gm(transconductance) ...
  • 1 ns 이하의 자화 용이축 펄스 자기장에 의한 자성박막의 자화 반전 거동 
    Jongill Hong; 이진원; 한윤성; SANG-HO LEE (The Korean Magnetics Society, 2007-10)
    1.00×0.24 mm2 크기의 Ni80Fe20 박막의 자화 반전 거동을 자화 용이축으로 1 ns 이하의 펄스 자기장의 지속 시간과 세기를 변수로 인가하여 micromagnetics 시뮬레이션으로 관찰하였다. 자성 박막은 직사각형과 타원형의 모양을 가지며, 두께는 2 nm와 4 nm로 설정하였다. 실험 결과 Ni80Fe20 박막의 두께와 모양에 따라 각각 다른 경향을 보이는 것을 확인할 수 ...
  • (1 – x)(Bi,Na)TiO3-x(Ba,Sr)TiO3 Lead-free Piezoelectric Ceramics for Piezoelectric Energy Harvesting 
    권영훈; Dong-Jin Shin; Jung-Hyuk Koh (The Korean Physical Society, 2015-04)
    Lead-free piezoelectric (1 − x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-x(Ba0.5Sr0.5)TiO3 (x = 0, 0.03, 0.06, 0.08, 0.12)ceramics were fabricated by using a conventional ceramic sintering method. The piezoelectric propertiesof (1−x)(Bi0.5Na0.5) ...
  • 1 → 2 양자 복사기들의 양자 얽힘형성 
    임의순 (The Korean Physical Society, 2010-06)
    여러 1 → 2 양자 복사들의 컨커런스와 얽힘형성을 조사하였다. 표준 기저의 복사에서 생성되는 얽힘형성의 크기는 양자 복사기의 복사의 질에 무관하다. 또한 보조계 없는 상태-의존 양자복사의 얽힘형성은 다른 복사기들에 비해 훨씬 크다. 그러므로 보조계 없는 상태-의존 양자복사는 양자 암호학, 양자 계산, 양자 원격전송과 같은 양자 얽힘 응용에 범용 양자 복사기보다 유용하다.
  • 1+0 차원 양자장이론으로 본 양자역학의 섭동론 
    L`Yi, Won Sik (The Korean Physical Society, 2009-06)
    본 논문에서는 양자역학의 시간에 무관한 섭동론을 1+0 차원 양자장론적 섭동론으로 다루었다. 이러한 양자역학의 섭동론은 자연스럽게 양자장론으로 확장이 되는데, 그 응용의 예로서 x4 항이 있는 양자역학적 비조화진동자의 섭동이론을 Feynmann 도형으로 설명하였고, 이를 사용하여 Φ4 양자장이론의 섭동론적인 전개를 설명하였다.
  • 1-kV AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on a Si Substrate by Oxidizing the Schottky Contact 
    MIN WOO HA; Dae Won Hwang; Cheol-Koo Hahn; 김영실 (The Korean Physical Society, 2012-05)
    High-voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) are fabricated on Si substrates by oxidizing Ni-based Schottky contacts. Oxidation successfully suppresses the isolation-leakage current by about three orders of magnitude ...
  • 1.25 Gb/s Broadcast Signal Transmission in WDM-PON Based on Mutually Injected Fabry-Perot Laser Diodes 
    Sang-Hwa Yoo; Sil-Gu Mun; Joon-Young Kim; Chang Hee Lee (한국광학회, 2012-06)
    We demonstrate a cost effective broadcast signal transmission at 1.25-Gb/s with 100 GHz channel spacing based on a broadband light source (BLS) for a wavelength division multiplexing-passive optical network (WDM-PON). The ...
  • 1.28-Tb/s (64 × 20 Gb/s) WDM Transmission over 320 km of single-mode ？ber with 0.4 -(bit/s)/Hz spectral efficiency 
    HwanSeokChung; SangBaeJun; YunChurChung (한국광학회, 2002-03)
  • 1.3 및 1.55㎛ GaAsSb/InGaNAs/GaAs Trilayer 양자우물 구조의 광학적이득 특성 
    박승환 (The Korean Physical Society, 2010-10)
    본 연구에서는 1.3 ㎛ 와 1.55 ㎛ 파장을 가진 type-Ⅱ GaAsSb /InGaNAs / GaAs trilayer 양자우물 레이저에 대한 광학적특성을 조사하고이것을 서로 비교 연구하였다. 천이 파장은 운반자 밀도가 증가함에 따라band-bending 효과에 의해 감소하였으며, 특히 1.55 ㎛ 의 양자우물구조의 경우 1.3 ㎛ 의 양자우물 구조에 비해 감소 효과가 더 크게나타났다. ...
  • 1.3 ㎛ 파장 Al2O3/a-Si 박막 에탈론과 광학 상수 측정 
    송현우; 김종희; 한원석 (한국광학회, 2005-10)
    전자선 증착기를 이용하여 1.3 ㎛ 중심 파장의 파브리-페로 에탈론을 Al2O3와 a-Si 박막 쌍으로 증착하였다. 제작된 에탈론의 투과율 및 반사율 스펙트럼을 측정하여, 공진 파장에서 투과 반치폭이 ∼12.1 nm이며 피네세(finesse) 값은 53임을 알았다. Al2O3 단일 박막의 광학 상수는 타원분광기법으로 측정하였다. Al2O3와 a-Si 박막 에탈론의 측정을 통하여 a-Si 박막의 ...
  • 1.31 μm 파장에서 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기의 편광 의존성 
    Byun， Young Tae; Young Min Jhon; 김선호 (The Korean Physical Society, 2003-10)
    단일모드 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기가 2차원 유한요소방법(2D-FEM)을 이용하여 설계되었으며, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 성장기법과 화학적인 습식식각 방법을 이용하여 제작되었다. P-p-n-N 이중의 이종접합(double heterostructure) 위상변조기의 위상변조 특성은 역 바이어스 전압을 ...
  • 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성 
    유영채; Jungil Lee; 김경찬; 김은규; Gil-Ho Kim; 한일기 (The Korean Vacuum Society, 2006-09)
    MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 1.5 ㎛의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3‐dB 파장대역폭은 55 nm 이었다
  • 1.5 μm 통신파장대역 진동수 얽힘 광자쌍의 양자간섭 
    Heonoh Kim; 김용수; 윤천주; 조석범 (한국광학회, 2011-12)
    펨토초 펄스형 자발적 매개하향변환에서 생성된 1.5 μm 통신파장대역 광자쌍의 진동수 얽힘상태를 구현하고, 광섬유 기반Hong-Ou-Mandel 간섭계를 이용하여 양자간섭 실험을 수행하였다. 각진동수 ω_1 과 ω_2 에 대응하는 두 광자의 파장은 저밀도 파장분할다중화(coarse wavelength division multiplexing, CWDM) 필터를 이용하여 선택하였고, 간섭계에서 ...

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