Jun-Hee Park; Wen-Xiang Jin; Longhua Li; Jae-Hyun Park; Lee Yu Ahn; Seung-Ho Byeon; Ha, Panbong; KIM, Young-Hee
(The Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology, 2026-06)
본 논문에서는 130nm CMOS 공정 기반f (39, 32) extended Hamming code를 이용한 ECC 기능을 내장한 512Kb RRAM IP를 설계하였다. 반복되는 forming 모드에서 RRAM 소자의 저항이 LRS 저항보다 큰 경우는 forming 동작을 계속 수행하고, LRS 저항보다 작은 경우 선택된 RRAM 셀에 대한 write masking을 씌우므로 forming ...